A tranzisztor karakterisztikán ábrázoltuk a kapcsolás
munkaegyenesét is. A tranzisztor tulajdonképpen három - egymástól
lényegesen különböző - állapotban lehet:
1. Ha a bázis-emitter feszültség nem elegendő a bázis-emitter
dióda nyitásához, a tranzisztor az ún. zárási tartományban van. Ebben
az esetben a kollektoron keresztül csak a kollektor maradékáram (
)
folyik, és a kollektorfeszültség jó közelítéssel megegyezik a
telepfeszültséggel.
2. Az ún. aktív tartományban bázisáram és kollektoráram egyaránt
folyik oly módon, hogy azok egymással arányosak. Erősítő
kapcsolásokban tulajdonképpen csak ez a közelítőleg lineáris működés
kerül felhasználásra.
3. Ha a bázisfeszültséget tovább növeljük, a kollektorfeszültség
egyre kisebb lesz, míg végül kinyit az eddig lezárt kollektor-bázis
dióda is. (Ugy mondják: a tranzisztor "leült".) A kollektorfeszültség
ekkor tehát két egymással szembekapcsolódó dióda feszültségének
összegeként alakul ki (nem azonos felépítésűek és különböző nagyságú
áramot visznek, tehát feszültségük is különböző). Ez a tranzisztornak
az ún. telítési tartománya. Ekkor a bázisáram és a kollektoráram
közötti lineáris kapcsolat megszűnik, mert a bázisáram értékét szinte
tetszőlegesre választhatjuk, a kollektoráram azonban limitált, mert
IT =UT /RC -nél nagyobb áram nem folyhat. A telítés feltétele tehát
Az ábra két érdekes jelenségre hívja fel a figyelmet.
A kollektoráram hullámformáját vizsgálva először is azt találjuk
feltűnőnek, hogy az impulzusélek ellaposodnak. Ez a tranzisztor véges
határfrekvenciájának köszönhető. (A töltéshordozók mozgási sebessége
véges, emiatt az emitter-átmenettől a kollektor-átmenetig való
áthaladásukhoz meghatározott idő szükséges.) A másik feltűnő, nem várt
jelenség: a kollektoráram impulzus kiszélesedése. A bázis impulzus
megszűn&ése után a kollektoráram csak ts idővel késobb kezd csökkenni.
Ez a jelenség nyilvánvalóan előnytelen, mert akadályozza az egyre
keskenyebb impulzusok előállítását, vagyis az egyre gyorsabb áramkörök
létrehozását. A jelenség fizikai hátterét itt nem ismertetjük -
lényegében a tranzisztor bázisában tárolt többlet-töltés az oka.